DMN62D4LDW-13

Name: DMN62D4LDW-13
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 200mA, 10V
Базовый Part Number	DMN62
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.04nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	41pF @ 30V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

Напряжение сток-исток	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	261mA (Ta)
Power - Max	330mW (Ta)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)