DMN62D1LFDQ-7

Diodes Incorporated

DMN62D1LFDQ-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3

В производстве3-PowerUDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 100mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds36 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101