DMN62D0UT-13

Diodes Incorporated

DMN62D0UT-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523

В производствеSOT-523Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds32 pF @ 30 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250A

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C320mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность230mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Корпус производителяSOT-523

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)