DMN61D9UWQ-13

Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ-13

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds28.5 pF @ 30 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность440mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяSOT-323

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)