DMN61D9UDWQ-7

Diodes Incorporated

DMN61D9UDWQ-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds39pF @ 30V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C318mA (Ta)
Power - Max370mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSOT-363

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101