DMN53D0LDW-13

Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Базовый Part NumberDMN53
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds46pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C360mA
Power - Max310mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSOT-363

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)