DMN52D0LT-13

Diodes Incorporated

DMN52D0LT-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R

В производствеSOT-523Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Корпус производителяSOT-523

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)