DMN4030LK3Q-13

Diodes Incorporated

DMN4030LK3Q-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252 T&R

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds604 pF @ 20 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.14W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101