DMN33D9LV-13

Name: DMN33D9LV-13
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 250mA, 10V
Базовый Part Number	DMN33
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	48pF @ 5V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 100µA

Напряжение сток-исток	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	350mA (Ta)
Power - Max	430mW (Ta)

Package / Case	SOT-563, SOT-666
Корпус производителя	SOT-563

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)