DMN33D8LT-7

Diodes Incorporated

DMN33D8LT-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

В производствеSOT-523Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 10mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds48 pF @ 5 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C115mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность240mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Корпус производителяSOT-523

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)