DMN33D8LDW-13

Diodes Incorporated

DMN33D8LDW-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Базовый Part NumberDMN33
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds48pF @ 5V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA
Power - Max350mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSOT-363

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)