DMN32D4SDW-7

Diodes Incorporated

DMN32D4SDW-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 250mA, 10V
Базовый Part NumberDMN32
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C650mA
Power - Max290mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSOT-363

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)