DMN32D2LDF-7

Diodes Incorporated

DMN32D2LDF-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

В производстве5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 100mA, 4V
Базовый Part NumberDMN32
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds39pF @ 3V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA
Power - Max280mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Корпус производителяSOT-353

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)