DMN32D0LV-7

Diodes Incorporated

DMN32D0LV-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 100mA, 4V
Базовый Part NumberDMN32
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds44.8pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C680mA (Ta)
Power - Max480mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяSOT-563

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)