DMN31D6UT-7

Diodes Incorporated

DMN31D6UT-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

В производствеSOT-523Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13.6 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность320mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Корпус производителяSOT-523

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)