DMN3190LDW-7

Diodes Incorporated

DMN3190LDW-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
Базовый Part NumberDMN3190
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 20V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Power - Max320mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSOT-363

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)