DMN3066L-7

Diodes Incorporated

DMN3066L-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds353 pF @ 10 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность810mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)