DMN3060LW-7

Diodes Incorporated

DMN3060LW-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds395 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяSOT-323

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)