DMN3035LWN-13

Diodes Incorporated

DMN3035LWN-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 10V
Базовый Part NumberDMN3035
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds399pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяV-DFN3020-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)