DMN3033LDM-7

Name: DMN3033LDM-7
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

В производствеSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 6.9A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	755 pF @ 10 V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.9A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	2W (Ta)

Package / Case	SOT-23-6
Корпус производителя	SOT-26

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)