DMN3032LFDB-7

Diodes Incorporated

DMN3032LFDB-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V
Базовый Part NumberDMN3032
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A
Power - Max1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2020-6 (Type B)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)