DMN3020UFDF-7

Diodes Incorporated

DMN3020UFDF-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1304 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.03W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2020-6 (Type F)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)