DMN3013LDG-7

Diodes Incorporated

DMN3013LDG-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333

В производстве8-PowerLDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.3mOhm @ 4A, 8V
Базовый Part NumberDMN3013
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta), 15A (Tc)
Power - Max2.16W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type D)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)