DMN2991UT-13

Diodes Incorporated

DMN2991UT-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

В производствеSOT-523Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21.5 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность280mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
Корпус производителяSOT-523

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)