DMN2991UDR4-7

Diodes Incorporated

DMN2991UDR4-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN

В производстве6-XFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs990mOhm @ 100mA, 4.5V
Базовый Part NumberDMN2991
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14.6pF @ 16V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Power - Max380mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Корпус производителяX2-DFN1010-6 (Type UXC)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)