DMN2451UFDQ-7

Diodes Incorporated

DMN2451UFDQ-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

В производстве3-PowerUDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds52 pF @ 16 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101