DMN2450UFD-7

Diodes Incorporated

DMN2450UFD-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

В производстве3-UDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds52 pF @ 16 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность400mW (Ta)

Механические

Package / Case3-UDFN
Корпус производителяX1-DFN1212-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)