DMN2065UW-7

Diodes Incorporated

DMN2065UW-7

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 10 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность430mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяSOT-323

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)