Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 8.2A, 4.5V |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 689pF @ 10V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Ta) |
| Power - Max | 1.1W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Корпус производителя | TSOT-26 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|