Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 4A, 10V |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 151pF @ 10V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A |
| Power - Max | 1.1W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | PowerDI3030-8 |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |