DMN2024UTS-13

Diodes Incorporated

DMN2024UTS-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

В производстве8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Базовый Part NumberDMN2024
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds647pF @ 10V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Power - Max890mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)