DMN2022UNS-7

Diodes Incorporated

DMN2022UNS-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Базовый Part NumberDMN2022
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 10V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A (Ta)
Power - Max1.2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UXB)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)