DMN2014LHAB-13

Name: DMN2014LHAB-13
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN

В производстве6-UFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 4A, 4.5V
Базовый Part Number	DMN2014
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 10V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA

Напряжение сток-исток	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Power - Max	800mW (Ta)

Package / Case	6-UFDFN Exposed Pad
Корпус производителя	U-DFN2030-6 (Type B)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)