DMN2011UFX-7

Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

В производстве4-VFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Базовый Part NumberDMN2011
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2248pF @ 10V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.2A (Ta)
Power - Max2.1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-VFDFN Exposed Pad
Корпус производителяV-DFN2050-4

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)