DMN2010UDZ-7

Diodes Incorporated

DMN2010UDZ-7

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN

Устаревший6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Базовый Part NumberDMN2010
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2665pF @ 10V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A
Power - Max700mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2535-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)