DMN2005UFGQ-13

Diodes Incorporated

DMN2005UFGQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6495 pF @ 10 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.05W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)