DMN2005DLP4K-7

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN

В производстве6-XFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Базовый Part NumberDMN2005
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA
Power - Max400mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Корпус производителяX2-DFN1310-6 (Type B)

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 150°C (TJ)