DMN10H700S-7

Diodes Incorporated

DMN10H700S-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235 pF @ 50 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность400mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101