DMN10H6D2LFDB-7

Name: DMN10H6D2LFDB-7
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 190mA, 10V
Базовый Part Number	DMN10
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	41pF @ 50V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA

Напряжение сток-исток	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	270mA (Ta)
Power - Max	700mW (Ta)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)