DMN10H220LVT-7

Diodes Incorporated

DMN10H220LVT-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 1.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds401 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.87A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.67W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителяTSOT-26

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)