DMN10H220LDV-13

Diodes Incorporated

DMN10H220LDV-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs222mOhm @ 2A, 10V
Базовый Part NumberDMN10
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds366pF @ 50V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.5A (Tc)
Power - Max1.8W (Ta), 40W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UXC)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)