DMN1029UFDB-7

Name: DMN1029UFDB-7
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 5A, 4.5V
Базовый Part Number	DMN1029
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	914pF @ 6V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

Напряжение сток-исток	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.6A
Power - Max	1.4W

Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителя	U-DFN2020-6 (Type B)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)