DMN1004UFV-7

Diodes Incorporated

DMN1004UFV-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2385 pF @ 6 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.9W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UX)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)