Общие
| Базовый Part Number | DMN1002 |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68.6nC @ 4V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | DMN1002 |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68.6nC @ 4V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 1.1W |
|---|
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-SMD, No Lead |
| Корпус производителя | X4-DSN3118-6 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|