DMJ70H600HK3-13

Diodes Incorporated

DMJ70H600HK3-13

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 2.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность90W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252, (D-Pak)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)