DMJ70H600HCT

Diodes Incorporated

DMJ70H600HCT

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO220AB

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 2.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.3W (Ta), 104W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB (Type TH)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)