DMHT10H032LFJ-13

Diodes Incorporated

DMHT10H032LFJ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN

В производстве12-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 6A, 10V
Базовый Part NumberDMHT10
Конфигурация4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds683pF @ 50V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Power - Max900mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case12-PowerVDFN
Корпус производителяV-DFN5045-12 (Type C)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)