DMHC4035LSD-13

Diodes Incorporated

DMHC4035LSD-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.9A, 10V
Базовый Part NumberDMHC4035
Конфигурация2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds574pF @ 20V, 587pF @ 20V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A, 3.7A
Power - Max1.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)