DMHC10H170SFJ-13

Diodes Incorporated

DMHC10H170SFJ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN

В производстве12-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 5A, 10V
Базовый Part NumberDMHC10
Конфигурация2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1167pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A, 2.3A
Power - Max2.1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-VDFN Exposed Pad
Корпус производителяV-DFN5045-12

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)