DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated

DMG8822UTS-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

В производстве8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds841pF @ 10V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
Power - Max870mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101